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| XRF基本原理 | |
原理 （XRF）儀器由激發(fā)源（X射線管）和探測系統(tǒng)構(gòu)成。X射線管產(chǎn)生入射X 射線（一次射線），激勵被測樣品。樣品中的每一種元素會放射出的二次X射線，并且不同的元素所放出的二次射線具有特定的能量特性。探測系統(tǒng)測量這些放射出來的二次射線的能量及數(shù)量。然后，儀器軟件將控測系統(tǒng)所收集的信息轉(zhuǎn)換成樣品中的各種元素的種類及含量。利用X射線熒光原理，理論上可以測量元素周期表中的每一種元素。在實際應用中，有效的元素測量范圍為11號元素（鈉Na）到92號元素（鈾U）。 XRF的篩選 X射線熒光光譜儀是*的RoHS篩選檢測儀器，由于其檢測速度快、分辨率、實施無損檢測，所以被廣泛采用。X線熒光光譜儀品牌繁多，以至于分不出誰好誰差了。在《電子信息產(chǎn)品有毒有害物質(zhì)的檢測方法》IEC62321標準文本里提到：“用能量散射X射線熒光光譜法（ED－XRF）或波長散射X射線熒光光譜法（WD－XRF）對試樣中目標物進行測試，可以是直接測量樣品（不破壞樣品），也可以是破壞樣品使其達到”均勻材料”（機械破壞試樣）后測試。”能真正準確無誤地將試樣篩選出合格、不合格、不確定三種類型，而且能大限度地縮小“不確定”部分就是好儀器。在保證既定準確度的情況下盡可能快速檢測。尤其是企業(yè)選購，光譜儀是做日常RoHS監(jiān)督檢測用，非?？粗剡@一點。所以，能夠準確無誤地將試樣篩選出合格、不合格、不確定三種類型，又能大限度地縮小“不確定”部分，而且全部過程是在極短的時間內(nèi)完成的X射線熒光光譜儀是滿足使用要求的光譜儀。 性能 性能無疑是評估光譜儀非常重要的指針性能優(yōu)異的光譜儀做篩選檢測能準確無誤地排查合格和不合格，并將不確定的灰色部分壓縮到?。?/span> 有的光譜儀鉛砷不分、鎘的特征譜線與X光管銠電極的特征譜線重迭等。經(jīng)常誤判； 有的光譜儀檢測鎘的靈敏度不夠，不能準確判定鎘； 大部分光譜儀的檢測穩(wěn)定性受到X光管老化、環(huán)境溫度、電源波動等影響，使數(shù)值不準。 由于性能不足，可能發(fā)生錯判、誤判、無法判定等事件頻發(fā)，不確定的灰色部分比例大增。其后果必然是成本顯著提、風險增加。 關鍵性能參數(shù) 1） X光管的電極材料 目前X線熒光光譜儀基本上采用銠靶X光管，有鎢靶X光管的。 A．銠（Rh）靶：銠的特征譜線與鎘的特征譜線重迭；測試需要濾波器。 B．鎢（W）靶：鎢的特征譜線與鉛，的特征光譜重迭，但發(fā)射強度。 2）檢測器 A．SDD： 新型的SDD檢測器屬純硅檢測器，分辨率可跟Si-Li檢測器差不多，并且不需要液氮制冷，但穩(wěn)定性不夠好。是在純n型硅片的射線入射面制備一大面積均勻的pn突變結(jié)，在另外一面的中央制備一個點狀的n型陽極，在陽極的周圍是許多同心的p型漂移電極。在工作時，器件兩面的pn結(jié)加上反向電壓，從而在器件體內(nèi)產(chǎn)生一個勢阱（對電子）。在漂移電極上加一個電位差會在器件內(nèi)產(chǎn)生一橫向電場，它將使勢阱彎曲從而迫使入射輻射產(chǎn)生的信號電子在電場作用下先向陽極漂移，到達陽極（讀出電極）附近才產(chǎn)生信號。硅漂移探測器的陽極很小因而電容很小，同時它的漏電流也很小，所以用電荷靈敏前置放大器可低噪聲、快速地讀出電子信號。是Si-PIN檢測器的換代產(chǎn)品。 B．SSD： SSD檢測器屬硅鋰檢測器，分辨率及檢測靈敏度。穩(wěn)定性好，但是需要液氮冷卻。硅（鋰）[ Si（Li）]探測器，也叫硅鋰漂移探測器。是在P型硅表面蒸發(fā)一層金屬鋰并擴散形成PN結(jié)，然后在反向電壓和適當溫度下使鋰離子在硅原子之間漂移入硅中，由于鋰離子很容易吸引一個自由電子而成名，從而與硅中的P型（受主）雜質(zhì)實現(xiàn)補償而形成阻的本征層（探測器的靈敏區(qū)）。硅（鋰）探測器的特點是靈敏層厚度可以做得相當大（3-10毫米），因而探測器電容也比較小，探測效率，但是必須在液氮冷卻下保存（因為在室溫下鋰離子的遷移能力已經(jīng)不能忽略了，而鋰離子的遷移會破壞在制備硅（鋰）探測器時達到的精密補償。這是硅（鋰）探測器保存時候也需要在液氮溫度的根本原因。當然還有其它原因）和工作。 C．Si-PIN： 老的PIN探測器分辨率差，穩(wěn)定性差，并且對測試重金屬的靈敏度不夠。PIN探測器是具有PIN結(jié)構(gòu)的（其中間層實際上是阻的全耗盡層，其載流子很少，與本征層和絕緣體層有類似之處）用于探測光和射線的探測器件。硅PIN探測器室溫下的漏電流在納安（nA）數(shù)量級，比其上一代的硅面壘探測器要小差不多3個數(shù)量級，是硅面壘探測器的換代產(chǎn)品，但是PIN探測器的電容仍然和面壘探測器一樣，隨探測器面積的增大而正比增大，這導致探測器噪聲還是偏大，同時成形時間常數(shù)不能太小因而計數(shù)率不能。這就是PIN探測器不僅在技術(shù)上而且在性能上也要比硅漂移探測器差整整一代的原因。 | |
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